Erdieroalezko gailua da, hiru terminalduna; horietako biren artean ezarritako tentsio edo korrontearen arabera, beste biren arteko tentsioa edo korrontea finkatzeko ahalmena dauka. Hori dela eta, transistoreak anplifikadore- (seinaleon balioak handituz) edo kommutadore-lanetan (batzuetan tentsioak besteetan korronteak anulatuz) aritu ohi dira. Transistoreek sakagailuen antzera gauzatzen dute kommutazioa (hots, tiristoreek ez bezala). Zirkuitu elektronikoen osagai izaten dira, nahiz osagai integratu gisa (gehienetan; adibidez, anplifikadore operazionaletan edota zirkuitu digitaletako txipetan) nahiz osagai diskretu gisa (potentziako seinaleak kommutatzeko, gehienbat).

Transistore-familia nagusi bi daude: unipolarrak (edo eremu-efektukoak, field-effect transistor, FET) eta bipolarrak. Hurrenez hurren, barne-korronteetako eramaileak mota batekoak (elektroiak ala hutsuneak) edo mota bietakoak (bai elektroiak bai hutsuneak) izatean datza aldea.

Transistore unipolarretan, gainera, azpitalde bi bereizten dira, sarrerako terminaletako baten izaeraren arabera: junturadunak (JFET) eta ate isolatudunak (IGFET); hala ere, azken horiek ohikoagoa dute MOSFET izendapena, isolamendua oxido-geruza baten bitartez gauzatzen delako (metal-oxide-semiconductor egitura). Transistore bipolarretan erabiliena junturaduna da (bipolar junction transistor, BJT); izatez, hain da ugaria, ezen familiaren izena bereganatu egin baitu; hortaz, transistore bipolar eta BJT baliokidetzat jotzen dira.

Transistoreen sailkapena; FETak atearen izaeraren arabera bereizita

Hala ere, ez da gutxietsi behar ate isolatudun transistore bipolarra (IGBT); izan ere, aspaldi honetan, gero eta aplikazio-esparru zabalagoa eskuratzen ari da, kommutadore gisa BJTen eta MOSFETen alde onak uztartzen baititu. Dena dela, beharbada arrazoi historikoengatik, bipolarretan ez da egiten FETetan ezartzen den bereizketa.

Ezkerrean, 2N3904 kodedun transistore bipolar ezaguna (iturria: Windell H. Oskay); eskuinean, MOSFET biz osatutako inbertsorearen eskema sinplifikatua

Aplikazio zehatzak aipatzean, anplifikazioari dagokionez, ezin ahaztu anplifikadore operazional frankoren barrenak hainbat BJTz osatuta daudela. Bestalde, kommutazioari dagokionez, bai MOSFETak, bai IGBTak tentsio zuzenetatik abiatuta tentsio alterno sinusoidalak gauzatzeko erabili ohi dira, inbertsore direlako gailuetan. Adibidez, aurreko irudiko Q1 eta Q2 MOSFETen A1 eta A2 ateetatik “pizte/itzaltze-aginduak” txantiloi egoki jakin baten arabera jarriz gero, VR tentsio sinusoidala izango da (iturriak tentsio zuzenekoak diren arren!).